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GB35XF120K

GB35XF120K

Nur als Referenz

Teilenummer GB35XF120K
PNEDA Teilenummer GB35XF120K
Beschreibung MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.992
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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GB35XF120K Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGB35XF120K
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
GB35XF120K, GB35XF120K Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 320,03 KB)
PDFGB35XF120K Datenblatt Cover
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GB35XF120K Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Leistung - max284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.475nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallECONO2
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2300A

Leistung - max

8950W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

145nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

DDB6U75N16W1RBOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

69A

Leistung - max

335W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

F1235R12KT4GBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

BSM50GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP100R12KT4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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-

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