GB35XF120K Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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GB35XF120K
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Leistung - max 284W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.475nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ECONO2 Lieferantengerätepaket - |