VS-GB200TH120U
Nur als Referenz
| Teilenummer | VS-GB200TH120U |
| PNEDA Teilenummer | VS-GB200TH120U |
| Beschreibung | IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.250 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
VS-GB200TH120U Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | VS-GB200TH120U |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- VS-GB200TH120U Datasheet
- where to find VS-GB200TH120U
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB200TH120U
- VS-GB200TH120U PDF Datasheet
- VS-GB200TH120U Stock
- VS-GB200TH120U Pinout
- Datasheet VS-GB200TH120U
- VS-GB200TH120U Supplier
- Vishay Semiconductor Diodes Division Distributor
- VS-GB200TH120U Price
- VS-GB200TH120U Distributor
VS-GB200TH120U Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 330A |
| Leistung - max | 1316W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 16.9nF @ 30V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Lieferantengerätepaket | Double INT-A-PAK |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 89A Leistung - max 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.62nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E1 Lieferantengerätepaket E1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 480A Leistung - max 1450W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 21nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Leistung - max 750W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP2 Lieferantengerätepaket SP2 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Leistung - max 119W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.35nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
