APTGT50H60T2G
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| Teilenummer | APTGT50H60T2G |
| PNEDA Teilenummer | APTGT50H60T2G |
| Beschreibung | MOD IGBT 600V 80A SP2 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.590 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGT50H60T2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGT50H60T2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT50H60T2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Full Bridge Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Leistung - max | 176W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP2 |
| Lieferantengerätepaket | SP2 |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Leistung - max 280W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1.3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E2 Lieferantengerätepaket E2 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 780W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 650nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
