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APTGF350DU60G

APTGF350DU60G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGF350DU60G
PNEDA Teilenummer APTGF350DU60G
Beschreibung IGBT MODULE NPT DUAL SP6
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.514
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 11 - Nov 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGF350DU60G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGF350DU60G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGF350DU60G, APTGF350DU60G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 469,85 KB)
PDFAPTGF350DU60G Datenblatt Cover
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APTGF350DU60G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationDual, Common Source
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)430A
Leistung - max1562W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 360A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce17.2nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP6
LieferantengerätepaketSP6

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Hersteller

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IGBT-Typ

-

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

480A

Leistung - max

1450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

APTGT50TA170PG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

310W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6-P

APTGT75A60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APTGLQ50H65T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

175W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP1

FP35R12W2T4PBPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EasyPIM™ 2B

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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