VS-GB300TH120U
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Teilenummer | VS-GB300TH120U |
PNEDA Teilenummer | VS-GB300TH120U |
Beschreibung | IGBT 1200V 530A 2119W INT-A-PAK |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.286 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GB300TH120U Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | VS-GB300TH120U |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
Datenblatt |
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VS-GB300TH120U Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Konfiguration | Half Bridge |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 530A |
Leistung - max | 2119W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 300A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 25.3nF @ 30V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Lieferantengerätepaket | Double INT-A-PAK |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Leistung - max 230W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
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