MII75-12A3
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| Teilenummer | MII75-12A3 |
| PNEDA Teilenummer | MII75-12A3 |
| Beschreibung | MOD IGBT RBSOA 1200V 90A Y4-M5 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.160 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MII75-12A3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MII75-12A3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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MII75-12A3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 90A |
| Leistung - max | 370W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 4mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Y4-M5 |
| Lieferantengerätepaket | Y4-M5 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 340A Leistung - max 1500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 225A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
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