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VS-GB100YG120NT

VS-GB100YG120NT

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GB100YG120NT
PNEDA Teilenummer VS-GB100YG120NT
Beschreibung OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.142
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VS-GB100YG120NT Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GB100YG120NT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-GB100YG120NT, VS-GB100YG120NT Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 380,66 KB)
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  • VS-GB100YG120NT Distributor

VS-GB100YG120NT Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationFull Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)127A
Leistung - max625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)80µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketECONO3 4PACK

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Leistung - max

515W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E3

Lieferantengerätepaket

E3

FP75R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Leistung - max

355W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS900R08A2P2B32BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FF200R12KE4HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

C

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Leistung - max

1100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT85GR120J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

116A

Leistung - max

543W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 85A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

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