FS900R08A2P2B32BOSA1
Nur als Referenz
Teilenummer | FS900R08A2P2B32BOSA1 |
PNEDA Teilenummer | FS900R08A2P2B32BOSA1 |
Beschreibung | MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.212 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FS900R08A2P2B32BOSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FS900R08A2P2B32BOSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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FS900R08A2P2B32BOSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | * |
IGBT-Typ | - |
Konfiguration | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
Leistung - max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
Eingabe | - |
NTC-Thermistor | - |
Betriebstemperatur | - |
Montagetyp | - |
Paket / Fall | - |
Lieferantengerätepaket | - |
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IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 38A Leistung - max 104W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.6nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E1 Lieferantengerätepaket E1 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 420A Leistung - max 1380W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 21nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
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