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APTGT300DA120G

APTGT300DA120G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT300DA120G
PNEDA Teilenummer APTGT300DA120G
Beschreibung IGBT PHASE BOOST CHOP 1200V SP6
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.790
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGT300DA120G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT300DA120G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTGT300DA120G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)420A
Leistung - max1380W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 300A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce21nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP6
LieferantengerätepaketSP6

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Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Leistung - max

630W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 75A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.52nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

S3

VS-ETF150Y65U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Three Level Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

142A

Leistung - max

417W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.06V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.6nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

EMIPAK-2B

Lieferantengerätepaket

EMIPAK-2B

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

225W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E2

Lieferantengerätepaket

E2

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

360A

Leistung - max

1100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 225A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS450R12OE4PBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

900A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.55nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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