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VS-GB100YG120NT Datenblatt

VS-GB100YG120NT Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GB100YG120NT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

127A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

80µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

ECONO3 4PACK