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APT85GR120J

APT85GR120J

Nur als Referenz

Teilenummer APT85GR120J
PNEDA Teilenummer APT85GR120J
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.850
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APT85GR120J Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT85GR120J
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APT85GR120J Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)116A
Leistung - max543W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 85A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce8.4nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

515W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

GHIS060A120S-A2

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Leistung - max

680W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

VS-GB150LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1389W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.87V @ 15V, 150A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

VS-GT300YH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

341A

Leistung - max

1042W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.17V @ 15V, 300A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

36nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 8)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

APTGT100DA120D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

520W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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