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Transistoren

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HN2A01FE-GR(TE85LF
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Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 100mW
  • Frequenz - Übergang: 800MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: ES6
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HN2A01FE-Y(TE85L,F
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Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 100mW
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: ES6
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HN2A01FU-GR(TE85LF
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Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 200mW
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: US6
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 200mW
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: US6
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 100mW
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: ES6
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HN2C01FEYTE85LF
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 100mW
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: ES6
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HN2C01FU-GR(T5L,F)
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 200mW
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: US6
Auf Lager26.982
HN2C01FU-Y(TE85L,F
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 200mW
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: US6
Auf Lager22.962
HN3A51F(TE85L,F)
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SM6
Auf Lager7.974
HN3C51F-BL(TE85L,F
HN3C51F-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SM6
Auf Lager2.790
HN3C51F-GR(TE85L,F
HN3C51F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SM6
Auf Lager6.336
HN4A06J(TE85L,F)
HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMV
Auf Lager2.502
HN4A51JTE85LF
HN4A51JTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMV
Auf Lager29.532
HN4A56JU(TE85L,F)
HN4A56JU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 200mW
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Lieferantengerätepaket: USV
Auf Lager8.604
HN4B01JE(TE85L,F)
HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN, PNP (Emitter Coupled)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA
  • Leistung - max: 100mW
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-553
  • Lieferantengerätepaket: ESV
Auf Lager2.628
HN4B04J(TE85L,F)
HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN, PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMV
Auf Lager22.254
HN4C06J-BL(TE85L,F
HN4C06J-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN (Dual) Common Emitter
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMV
Auf Lager2.592
HN4C51J(TE85L,F)
HN4C51J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN (Dual) Common Base
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMV
Auf Lager2.610
IMT17-7
IMT17-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-23-6
  • Lieferantengerätepaket: SOT-26
Auf Lager24.720
IMT17T110
IMT17T110

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager7.794
IMT17T208
IMT17T208

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager7.866
IMT18T110
IMT18T110

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 260MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager2.286
IMT1AT108
IMT1AT108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 140MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager7.902
IMT1AT110
IMT1AT110

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 140MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager52.602
IMT2AT108
IMT2AT108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 140MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager22.590
IMT3AT108
IMT3AT108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 140MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager6.120
IMT4-7-F
IMT4-7-F

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 225mW
  • Frequenz - Übergang: 140MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-23-6
  • Lieferantengerätepaket: SOT-26
Auf Lager5.472
IMT4T108
IMT4T108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 140MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager42.102
IMX17T108
IMX17T108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager3.312
IMX17T110
IMX17T110

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager7.254