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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
JANTXV2N2920L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager5.562
JANTXV2N2920U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-SMD	Auf Lager4.104
JANTXV2N3810 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager8.082
JANTXV2N3810L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager8.316
JANTXV2N3810U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager4.140
JANTXV2N3811 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager2.934
JANTXV2N3811L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager6.156
JANTXV2N3811U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.290
JANTXV2N5794 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/495 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager5.490
JANTXV2N6987 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/558 Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.412
JANTXV2N6988 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 60V 0.6A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/558 Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-Flatpack Lieferantengerätepaket: 14-Flatpack	Auf Lager3.060
JANTXV2N6989 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/559 Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager8.784
JANTXV2N6990 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/559 Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-Flatpack Lieferantengerätepaket: 14-Flatpack	Auf Lager8.856
L603C STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 90V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500µA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1.8W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -25°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 18-DIP	Auf Lager5.382
L604C STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 90V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500µA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1.8W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -25°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.344
L6221AD STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 20-SO	Auf Lager5.742
L6221AD013TR STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 20-SO	Auf Lager3.544
L6221AS STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 16-PowerDIP	Auf Lager6.372
L6221CD STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 20-SO	Auf Lager5.868
L6221CD013TR STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 20-SO	Auf Lager6.012
LBN150B01-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager4.392
LBN150B02-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays MOSFET ARRAY SMD Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.670
LM394CH/NOPB Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 20V 0.02A TO99-6 Hersteller: Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-99-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-99-6	Auf Lager4.518
MAT01AH Analog Devices	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6 Hersteller: Analog Devices Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 450MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager5.922
MAT01AHZ Analog Devices	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6 Hersteller: Analog Devices Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 450MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager6.120
MAT01GH Analog Devices	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6 Hersteller: Analog Devices Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 450MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager5.904
MAT01GHZ Analog Devices	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6 Hersteller: Analog Devices Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 450MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager12.816
MAT03EH Analog Devices	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6 Hersteller: Analog Devices Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 36V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 190MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.290
MAT03EHZ Analog Devices	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6 Hersteller: Analog Devices Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 36V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 190MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.506
MAT03FH Analog Devices	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6 Hersteller: Analog Devices Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 36V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 190MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager2.754

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