MAT03EHZ
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| Teilenummer | MAT03EHZ |
| PNEDA Teilenummer | MAT03EHZ |
| Beschreibung | TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6 |
| Hersteller | Analog Devices |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.506 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MAT03EHZ Ressourcen
| Marke | Analog Devices |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MAT03EHZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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MAT03EHZ Technische Daten
| Hersteller | Analog Devices Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 36V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 100µA, 1mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Leistung - max | 500mW |
| Frequenz - Übergang | 190MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-78-6 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-78-6 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V Leistung - max 380mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7.5A, 6.3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 275mV @ 375mA, 7.5A / 350mV @ 325mA, 6.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 4A, 2V / 150 @ 4A, 2V Leistung - max 2.3W Frequenz - Übergang 115MHz, 105MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 100mA, 2V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 420MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-666 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 11V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 10V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 3.2GHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket EMT6 |
