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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IMX1T108 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager6.480
IMX1T110 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager364.914
IMX25T110 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 20V 0.3A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 35MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager7.416
IMX2T108 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager24.198
IMX3T108 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager8.856
IMX4T108 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 20V 0.05A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 1.5GHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager4.428
IMX5T108 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 11V 0.05A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 11V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 3.2GHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager3.240
IMX8-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 120V 0.05A SOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager8.640
IMX8-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 120V 0.05A SOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager5.256
IMX8T108 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 120V 0.05A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager8.280
IMX9T110 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 560 @ 10mA, 3V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 350MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager50.538
IMZ1AT108 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 180MHz, 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager116.628
IMZ2AT108 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 180MHz, 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager5.742
IMZ4T108 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 32V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 250MHz, 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SMT6	Auf Lager6.786
JAN2N2060L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/270 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Leistung - max: 2.12W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager6.048
JAN2N2919L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.866
JAN2N2919U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-SMD	Auf Lager7.578
JAN2N2920L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.776
JAN2N2920U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-SMD	Auf Lager3.942
JAN2N3810 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager6.192
JAN2N3810L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager4.752
JAN2N3810U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager8.802
JAN2N3811 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager2.592
JAN2N3811L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager6.822
JAN2N3811U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager3.384
JAN2N6987 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/558 Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.812
JAN2N6988 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 60V 0.6A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/558 Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-Flatpack Lieferantengerätepaket: 14-Flatpack	Auf Lager5.490
JAN2N6989 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/559 Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager8.928
JAN2N6990 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/559 Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-Flatpack Lieferantengerätepaket: 14-Flatpack	Auf Lager7.920
JANS2N2920 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager6.444

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