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JANSR2N2920U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays RH SMALL-SIGNAL BJT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-SMD	Auf Lager5.670
JANSR2N3810U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays RH SMALL-SIGNAL BJT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-SMD	Auf Lager3.150
JANTX2N2060L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/270 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Leistung - max: 2.12W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager3.580
JANTX2N2919L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager8.262
JANTX2N2919U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-SMD	Auf Lager4.032
JANTX2N2920 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager2.286
JANTX2N2920L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager8.838
JANTX2N2920U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-SMD	Auf Lager7.326
JANTX2N3810 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.650
JANTX2N3810L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager4.824
JANTX2N3810U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.578
JANTX2N3811 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.938
JANTX2N3811L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.398
JANTX2N3811U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager4.482
JANTX2N4854 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 40V 0.6A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/421 Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager249
JANTX2N4854U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6SMD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/421 Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-SMD	Auf Lager3.580
JANTX2N5794 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/495 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager5.832
JANTX2N5794U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/495 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-SMD	Auf Lager4.824
JANTX2N5796U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.6A U-PKG Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/496 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-SMD	Auf Lager5.166
JANTX2N6987 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/558 Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.320
JANTX2N6988 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 60V 0.6A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/558 Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-Flatpack Lieferantengerätepaket: 14-Flatpack	Auf Lager2.628
JANTX2N6989 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/559 Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager4.968
JANTX2N6989U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/559 Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 20-CLCC Lieferantengerätepaket: 20-CLCC	Auf Lager183
JANTX2N6990 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/559 Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-Flatpack Lieferantengerätepaket: 14-Flatpack	Auf Lager8.568
JANTXV2N2060 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 500MA TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/270 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager8.010
JANTXV2N2060L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/270 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Leistung - max: 2.12W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager8.208
JANTXV2N2919 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager6.156
JANTXV2N2919L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager3.708
JANTXV2N2919U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-SMD	Auf Lager7.812
JANTXV2N2920 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager4.158

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