Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
HCT700 TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA, 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.160
HCT700TX TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA, 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.254
HCT700TXV TT Electronics/Optek Technology	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT Hersteller: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA, 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.544
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager3.600
HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager60.828
HN1A01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager3.490
HN1A01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager6.660
HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.15A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager6.120
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager24.414
HN1B01FDW1T1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 380mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SC-74	Auf Lager5.616
HN1B01FDW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 380mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SC-74	Auf Lager53.316
HN1B01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager5.076
HN1B01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 200mW, 210mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager2.844
HN1B01FU-Y(L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager4.266
HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager71.742
HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager4.104
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager7.866
HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager6.444
HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager23.454
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager3.654
HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager35.094
HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager8.370
HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 800MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager5.310
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager6.390
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.508
HN1C01FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager3.834
HN1C01FYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager24.414
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager3.042
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 20V 0.3A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager2.790
HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.984

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