HN1B01FDW1T1G
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| Teilenummer | HN1B01FDW1T1G |
| PNEDA Teilenummer | HN1B01FDW1T1G |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 53.316 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HN1B01FDW1T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HN1B01FDW1T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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HN1B01FDW1T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 2µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Leistung - max | 380mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | SC-74 |
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Hersteller Serie - Transistortyp 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -20°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 16-TSSOP |
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