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EMY1T2R

EMY1T2R

Nur als Referenz

Teilenummer EMY1T2R
PNEDA Teilenummer EMY1T2R
Beschreibung TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 2.088
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

EMY1T2R Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEMY1T2R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
EMY1T2R, EMY1T2R Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 2.885,47 KB)
PDFEMY1T2R Datenblatt Cover
EMY1T2R Datenblatt Seite 2 EMY1T2R Datenblatt Seite 3 EMY1T2R Datenblatt Seite 4 EMY1T2R Datenblatt Seite 5 EMY1T2R Datenblatt Seite 6 EMY1T2R Datenblatt Seite 7 EMY1T2R Datenblatt Seite 8 EMY1T2R Datenblatt Seite 9 EMY1T2R Datenblatt Seite 10 EMY1T2R Datenblatt Seite 11

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EMY1T2R Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN, PNP (Emitter Coupled)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Leistung - max150mW
Frequenz - Übergang180MHz, 140MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD (5 Leads), Flat Lead
LieferantengerätepaketEMT5

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.5A, 3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V

Leistung - max

1.1W

Frequenz - Übergang

190MHz, 270MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

JANTX2N4854

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/421

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

CPH5518-TL-E

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP (Emitter Coupled)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V, 50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

190mV @ 10mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Leistung - max

1.2W

Frequenz - Übergang

420MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

5-CPH

IMX17T110

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SMT6

IMX17T108

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SMT6

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