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DMMT5551-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager8.748
DMMT5551-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager7.128
DMMT5551S-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager25.518
DMMT5551-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager7.218
DN0150ADJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager199.194
DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager5.814
DP0150ADJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager8.892
DP0150BDJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager5.238
DSS4160DS-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 1A SOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Leistung - max: 700mW Frequenz - Übergang: 220MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager4.662
DSS4160FDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPH U-DFN2020-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Leistung - max: 405mW Frequenz - Übergang: 175MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager27.414
DSS45160FDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 1A 60V U-DFN2020-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V Leistung - max: 405mW Frequenz - Übergang: 175MHz, 65MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager27.672
DSS5160FDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Leistung - max: 405mW Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager22.218
DST3904DJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager5.346
DST3906DJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager8.532
DST3946DPJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager8.226
DST847BDJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 170MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager7.650
DST847BPDP6-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 175MHz, 340MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager6.336
DST857BDJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 340MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager98.670
ECH8501-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 30V 5A 8ECH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.6W Frequenz - Übergang: 280MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-ECH	Auf Lager3.132
ECH8502-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V, 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 125mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.6W Frequenz - Übergang: 290MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-ECH	Auf Lager6.246
ECH8503-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 5A 8ECH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 125mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.6W Frequenz - Übergang: 280MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 8-ECH	Auf Lager8.082
E-L6221AD STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 20-SOIC	Auf Lager8.514
EMT18T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 12V 0.5A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 260MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager2.430
EMT1DXV6T1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager8.694
EMT1DXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager8.406
EMT1DXV6T5 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager8.892
EMT1DXV6T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager77.976
EMT1T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager156.852
EMT2T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager4.014
EMT3T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager8.928

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