EMT1DXV6T1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | EMT1DXV6T1G |
| PNEDA Teilenummer | EMT1DXV6T1G |
| Beschreibung | TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.406 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EMT1DXV6T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EMT1DXV6T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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EMT1DXV6T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Leistung - max | 500mW |
| Frequenz - Übergang | 140MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller Analog Devices Inc. Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 15V Leistung - max - Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-WFQFN Exposed Pad, CSP Lieferantengerätepaket 16-LFCSP-WQ (3x3) |
