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EMT1DXV6T5G

EMT1DXV6T5G

Nur als Referenz

Teilenummer EMT1DXV6T5G
PNEDA Teilenummer EMT1DXV6T5G
Beschreibung TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 77.976
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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EMT1DXV6T5G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEMT1DXV6T5G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
EMT1DXV6T5G, EMT1DXV6T5G Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 54,48 KB)
PDFEMT1DXV6T5 Datenblatt Cover
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EMT1DXV6T5G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Leistung - max500mW
Frequenz - Übergang140MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V, 60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz, 200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

STA481A

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

4 NPN Darlington (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 4V

Leistung - max

4W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

10-SIP

Lieferantengerätepaket

10-SIP

BCM847DS,135

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual) Matched Pair

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

380mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

MC1413DR2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

PBSS4032SPN,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.7A, 4.8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 300mA, 6A / 510mV @ 250mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V

Leistung - max

2.3W

Frequenz - Übergang

140MHz, 115MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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