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EMT51T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 20V 0.2A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 350MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager8.190
EMT52T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR. TWO 2 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager8.694
EMX18T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 12V 0.5A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 320MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager6.696
EMX1DXV6T1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager2.052
EMX1DXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager5.886
EMX1DXV6T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager7.056
EMX1FHAT2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager8.514
EMX1T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager2.142
EMX26T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager67.158
EMX2DXV6T5 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager6.948
EMX2DXV6T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager2.466
EMX2T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager4.032
EMX3T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager8.874
EMX4T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 20V 0.05A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 1.5GHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager167.640
EMX51T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 400MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager67.308
EMX52T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 350MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager3.330
EMX5T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 11V 0.05A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 11V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 3.2GHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager3.580
EMY1T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 180MHz, 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Lieferantengerätepaket: EMT5	Auf Lager2.088
EMZ1DXV6T1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 180MHz, 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager4.338
EMZ1DXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 180MHz, 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager8.244
EMZ1DXV6T5 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 180MHz, 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager2.520
EMZ1DXV6T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 180MHz, 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager2.736
EMZ1T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 180MHz, 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager129.000
EMZ2T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 180MHz, 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager7.092
EMZ51T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 400MHz, 350MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager6.768
EMZ52T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. 2SAR5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 350MHz, 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager7.290
EMZ7T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 320MHz, 260MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager8.946
EMZ8T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 180MHz, 260MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager7.146
E-ULN2001A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-DIP	Auf Lager4.878
E-ULN2004A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-DIP	Auf Lager7.326

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