EMZ1DXV6T5G
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| Teilenummer | EMZ1DXV6T5G |
| PNEDA Teilenummer | EMZ1DXV6T5G |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.736 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EMZ1DXV6T5G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EMZ1DXV6T5G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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EMZ1DXV6T5G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Leistung - max | 500mW |
| Frequenz - Übergang | 180MHz, 140MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4.5A, 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V, 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 120MHz, 110MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-MLP (3x2) |
