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EMZ51T2R

EMZ51T2R

Nur als Referenz

Teilenummer EMZ51T2R
PNEDA Teilenummer EMZ51T2R
Beschreibung TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 6.768
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

EMZ51T2R Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEMZ51T2R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
EMZ51T2R, EMZ51T2R Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 1.766,51 KB)
PDFEMZ51T2R Datenblatt Cover
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EMZ51T2R Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Leistung - max150mW
Frequenz - Übergang400MHz, 350MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketEMT6

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

180MHz, 140MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

UMT6

HN1C01FE-Y,LF

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Leistung - max

100mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.5A, 2.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V, 70V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V

Leistung - max

1.7W

Frequenz - Übergang

160MHz, 180MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x2)

FMY6T148

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BC856BDW1T1

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

380mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

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