JANTX2N6989
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| Teilenummer | JANTX2N6989 |
| PNEDA Teilenummer | JANTX2N6989 |
| Beschreibung | TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JANTX2N6989 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTX2N6989 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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JANTX2N6989 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/559 |
| Transistortyp | 4 NPN (Quad) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 800mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 1.5W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | TO-116 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 350MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD Lieferantengerätepaket VMT6 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max 1.31W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 18-SOL |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 10µA, 5V Leistung - max 600mW Frequenz - Übergang 60MHz Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN, PNP Complementary Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 10V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Lieferantengerätepaket SMini5-F3-B |
