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IMZ1AT108

IMZ1AT108

Nur als Referenz

Teilenummer IMZ1AT108
PNEDA Teilenummer IMZ1AT108
Beschreibung TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 116.628
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IMZ1AT108 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIMZ1AT108
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
IMZ1AT108, IMZ1AT108 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 55,65 KB)
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IMZ1AT108 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang180MHz, 140MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
LieferantengerätepaketSMT6

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/496

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

6-SMD

STA301A

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

3 NPN Darlington (Emitter Coupled)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 10mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 4V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-SIP

Lieferantengerätepaket

8-SIP

JANTX2N3811U

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/336

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

BC856BDW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

380mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

MPQ3906

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

4 PNP (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 1V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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