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IMX1T108

IMX1T108

Nur als Referenz

Teilenummer IMX1T108
PNEDA Teilenummer IMX1T108
Beschreibung TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 6.480
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IMX1T108 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIMX1T108
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
IMX1T108, IMX1T108 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 1.979,3 KB)
PDFIMX1T108 Datenblatt Cover
IMX1T108 Datenblatt Seite 2 IMX1T108 Datenblatt Seite 3 IMX1T108 Datenblatt Seite 4 IMX1T108 Datenblatt Seite 5 IMX1T108 Datenblatt Seite 6 IMX1T108 Datenblatt Seite 7 IMX1T108 Datenblatt Seite 8 IMX1T108 Datenblatt Seite 9

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IMX1T108 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang180MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
LieferantengerätepaketSMT6

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

8 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

2.25W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

18-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

18-DIP

MAT01AH

Analog Devices

Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual) Matched Pair

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

450MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

IMX2T108

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SMT6

FMB3906

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

700mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

STS01DTP06

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 100mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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