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JAN2N2919L

JAN2N2919L

Nur als Referenz

Teilenummer JAN2N2919L
PNEDA Teilenummer JAN2N2919L
Beschreibung TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.866
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JAN2N2919L Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN2N2919L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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JAN2N2919L Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/355
Transistortyp2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 100µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce150 @ 1mA, 5V
Leistung - max350mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-78-6 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-78-6

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

270mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1.1W

Frequenz - Übergang

215MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

L6221AD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

4 NPN Darlington (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 1.8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

20-SO

SN75468DE4

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

MMDT3946-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz, 250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

2N2641

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10µA, 5V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

40MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

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