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L6221AS

L6221AS

Nur als Referenz

Teilenummer L6221AS
PNEDA Teilenummer L6221AS
Beschreibung TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 16DIP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.372
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

L6221AS Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerL6221AS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
L6221AS, L6221AS Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 763,03 KB)
PDFE-L6221AD Datenblatt Cover
E-L6221AD Datenblatt Seite 2 E-L6221AD Datenblatt Seite 3 E-L6221AD Datenblatt Seite 4 E-L6221AD Datenblatt Seite 5 E-L6221AD Datenblatt Seite 6 E-L6221AD Datenblatt Seite 7 E-L6221AD Datenblatt Seite 8 E-L6221AD Datenblatt Seite 9 E-L6221AD Datenblatt Seite 10 E-L6221AD Datenblatt Seite 11

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L6221AS Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Transistortyp4 NPN Darlington (Quad)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.8A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 1.8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket16-PowerDIP

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

4 NPN (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

400mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-Flatpack

Lieferantengerätepaket

14-Flatpack

UML2N-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN + Diode (Isolated)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Lieferantengerätepaket

SOT-353

QST8TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 25mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V

Leistung - max

1.25W

Frequenz - Übergang

400MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSMT6 (SC-95)

MBT3904DW2T1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

BCM56DSF

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

2 NPN (Dual) Matched Pair

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

155MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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