HN4C06J-BL(TE85L,F
Nur als Referenz
| Teilenummer | HN4C06J-BL(TE85L,F |
| PNEDA Teilenummer | HN4C06J-BL-TE85L-F |
| Beschreibung | TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.592 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HN4C06J-BL(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HN4C06J-BL(TE85L,F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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HN4C06J-BL(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) Common Emitter |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 120V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Leistung - max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74A, SOT-753 |
| Lieferantengerätepaket | SMV |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V Leistung - max 405mW Frequenz - Übergang 65MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B) |
