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IMT4-7-F

IMT4-7-F

Nur als Referenz

Teilenummer IMT4-7-F
PNEDA Teilenummer IMT4-7-F
Beschreibung TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 5.472
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IMT4-7-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIMT4-7-F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
IMT4-7-F, IMT4-7-F Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 96,28 KB)
PDFIMT4-7-F Datenblatt Cover
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IMT4-7-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)120V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce180 @ 2mA, 6V
Leistung - max225mW
Frequenz - Übergang140MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
LieferantengerätepaketSOT-26

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A, 3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V

Leistung - max

1.7W

Frequenz - Übergang

165MHz, 190MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x2)

BC846S,125

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

TPCP8901(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A, 800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V

Leistung - max

1.48W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

PS-8

BC846SH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

L6221AD013TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

4 NPN Darlington (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 1.8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

20-SO

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