HN2A01FE-Y(TE85L,F
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| Teilenummer | HN2A01FE-Y(TE85L,F |
| PNEDA Teilenummer | HN2A01FE-Y-TE85L-F |
| Beschreibung | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.328 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HN2A01FE-Y(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HN2A01FE-Y(TE85L,F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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HN2A01FE-Y(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Leistung - max | 100mW |
| Frequenz - Übergang | 80MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | ES6 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1412-6 |
