Transistoren

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SGL50N60RUFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 250W TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 26ns/66ns Testbedingung: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 100ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager8.148
SGL50N60RUFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 250W TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 26ns/66ns Testbedingung: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager7.470
SGL5N150UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1500V 10A 125W TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1500V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 190µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 10ns/30ns Testbedingung: 600V, 5A, 10Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager7.380
SGL60N90DG3TU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 900V 60A 180W TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A Leistung - max: 180W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 260nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.5µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager3.508
SGL60N90DG3YDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 900V 60A 180W TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A Leistung - max: 180W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 260nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.5µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager7.002
SGM2N60UFTF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A Leistung - max: 2.1W Schaltenergie: 30µJ (on), 13µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/80ns Testbedingung: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223-4	Auf Lager7.218
SGP02N120XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.2A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 9.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A Leistung - max: 62W Schaltenergie: 220µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/260ns Testbedingung: 800V, 2A, 91Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager140.352
SGP02N60XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 30W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A Leistung - max: 30W Schaltenergie: 64µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/259ns Testbedingung: 400V, 2A, 118Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager2.484
SGP04N60XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 19A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A Leistung - max: 50W Schaltenergie: 131µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/237ns Testbedingung: 400V, 4A, 67Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager4.428
SGP06N60XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 12A 68W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A Leistung - max: 68W Schaltenergie: 215µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/220ns Testbedingung: 400V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager4.158
SGP07N120XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 16.5A 125W TO220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 27A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 1mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/440ns Testbedingung: 800V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager13.692
SGP10N60AXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 92W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A Leistung - max: 92W Schaltenergie: 320µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 52nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 28ns/178ns Testbedingung: 400V, 10A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager6.408
SGP10N60RUFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 16A 75W TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A Leistung - max: 75W Schaltenergie: 141µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/36ns Testbedingung: 300V, 10A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager21.096
SGP13N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 60W TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A Leistung - max: 60W Schaltenergie: 85µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/70ns Testbedingung: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager2.484
SGP13N60UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 60W TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A Leistung - max: 60W Schaltenergie: 85µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/70ns Testbedingung: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.398
SGP15N120XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 30A 198W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A Leistung - max: 198W Schaltenergie: 1.9mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/580ns Testbedingung: 800V, 15A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager4.464
SGP15N60RUFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 24A 160W TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 320µJ (on), 356µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/44ns Testbedingung: 300V, 15A, 13Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager2.682
SGP15N60XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 31A 139W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max: 139W Schaltenergie: 570µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 32ns/234ns Testbedingung: 400V, 15A, 21Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager8.100
SGP20N60HSXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 36A 178W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A Leistung - max: 178W Schaltenergie: 690µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/207ns Testbedingung: 400V, 20A, 16Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1	Auf Lager4.338
SGP20N60XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 179W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max: 179W Schaltenergie: 440µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 36ns/225ns Testbedingung: 400V, 20A, 16Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager3.420
SGP23N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 115µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/60ns Testbedingung: 300V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager445
SGP23N60UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W TO220-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 115µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/60ns Testbedingung: 300V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager22.704
SGP30N60HSXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 41A 250W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 1.15mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 141nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/250ns Testbedingung: 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager6.534
SGP30N60XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 41A 250W TO263 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 1.29mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 44ns/291ns Testbedingung: 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.552
SGP40N60UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 160W TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 97nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/65ns Testbedingung: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager2.520
SGP5N60RUFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 8A 60W TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A Leistung - max: 60W Schaltenergie: 88µJ (on), 107µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 16nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/34ns Testbedingung: 300V, 5A, 40Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager3.258
SGP6N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 30W TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A Leistung - max: 30W Schaltenergie: 57µJ (on), 25µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/60ns Testbedingung: 300V, 3A, 80Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 52ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager3.418
SGR15N40LTF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 45W DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A Leistung - max: 45W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager8.460
SGR15N40LTM ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 45W DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A Leistung - max: 45W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager2.736
SGR20N40LTF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 45W DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A Leistung - max: 45W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager5.472

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