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SGP13N60UFTU

SGP13N60UFTU

Nur als Referenz

Teilenummer SGP13N60UFTU
PNEDA Teilenummer SGP13N60UFTU
Beschreibung IGBT 600V 13A 60W TO220
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SGP13N60UFTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGP13N60UFTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGP13N60UFTU, SGP13N60UFTU Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 537,16 KB)
PDFSGP13N60UFTU Datenblatt Cover
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SGP13N60UFTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)13A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)52A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 6.5A
Leistung - max60W
Schaltenergie85µJ (on), 95µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge25nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/70ns
Testbedingung300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

2.85mJ (on), 6.47mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/290ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG4IBC20KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

23A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

340µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/180ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

STGW35HF60WD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

290µJ (on), 185µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/175ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IXBF50N360

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

420A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/205ns

Testbedingung

960V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.7µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Kürzlich verkauft

TS4984IQT

TS4984IQT

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IC AMP AUDIO PWR 1.2W AB 16TQFN

MAX31785ETL+T

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Maxim Integrated

IC MOTOR DRIVER 2.7V-5.5V 40TQFN

MBR4045PT

MBR4045PT

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO3P

MAX6675ISA+T

MAX6675ISA+T

Maxim Integrated

IC THERMOCOUP TO DGTL 8-SOIC

RB521S-30TE61

RB521S-30TE61

Rohm Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

R5F21335CNFP#30

R5F21335CNFP#30

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 24KB FLASH 32LQFP

FDS6982AS

FDS6982AS

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MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO

MPQ7053

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Central Semiconductor Corp

TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A

LTST-C19HE1WT

LTST-C19HE1WT

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LED RGB DIFFUSED CHIP SMD

IS34ML01G081-TLI-TR

IS34ML01G081-TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

ADF4350BCPZ-RL7

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Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO FN/IN 32LFCSP

ADP151AUJZ-1.8-R7

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Analog Devices

IC REG LINEAR 1.8V 200MA TSOT5