SGP6N60UFDTU
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| Teilenummer | SGP6N60UFDTU |
| PNEDA Teilenummer | SGP6N60UFDTU |
| Beschreibung | IGBT 600V 6A 30W TO220 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.418 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 11 - Feb 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGP6N60UFDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGP6N60UFDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGP6N60UFDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 25A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 30W |
| Schaltenergie | 57µJ (on), 25µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 15nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/60ns |
| Testbedingung | 300V, 3A, 80Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 52ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max 750W Schaltenergie 2.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 123nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/93ns Testbedingung 400V, 60A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 150ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 40A Leistung - max 231W Schaltenergie 1.76mJ (on), 362µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 306nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/260ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 319ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 28A Leistung - max 250W Schaltenergie 2.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 92nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/210ns Testbedingung 960V, 28A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
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