SGL60N90DG3TU
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| Teilenummer | SGL60N90DG3TU |
| PNEDA Teilenummer | SGL60N90DG3TU |
| Beschreibung | IGBT 900V 60A 180W TO264 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.508 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 2 - Mai 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGL60N90DG3TU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGL60N90DG3TU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGL60N90DG3TU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 900V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 180W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 260nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264-3 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 7A Leistung - max 75W Schaltenergie 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/65ns Testbedingung 480V, 7A, 18Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 35A Leistung - max 400W Schaltenergie 900µJ (on), 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/270ns Testbedingung 960V, 35A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 70A Leistung - max 961W Schaltenergie 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 544nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/278ns Testbedingung 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Leistung - max 400W Schaltenergie 4.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/350ns Testbedingung 720V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 208A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 400A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 95A Leistung - max 892W Schaltenergie 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/226ns Testbedingung 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2] |
