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SGP20N60HSXKSA1

SGP20N60HSXKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer SGP20N60HSXKSA1
PNEDA Teilenummer SGP20N60HSXKSA1
Beschreibung IGBT 600V 36A 178W TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.338
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SGP20N60HSXKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGP20N60HSXKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGP20N60HSXKSA1, SGP20N60HSXKSA1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 354,73 KB)
PDFSGP20N60HSXKSA1 Datenblatt Cover
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SGP20N60HSXKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)36A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.15V @ 15V, 20A
Leistung - max178W
Schaltenergie690µJ
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/207ns
Testbedingung400V, 20A, 16Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketPG-TO220-3-1

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

94W

Schaltenergie

132µJ (on), 62µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17.8ns/81.6ns

Testbedingung

400V, 10A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

274ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.35mJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/110ns

Testbedingung

700V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

NGTB30N65IHL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/145ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

430ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IKZ50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

273W

Schaltenergie

410µJ (on), 190µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/250ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

28A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 7A

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/160ns

Testbedingung

400V, 7A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

136ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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