SGP5N60RUFDTU
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| Teilenummer | SGP5N60RUFDTU |
| PNEDA Teilenummer | SGP5N60RUFDTU |
| Beschreibung | IGBT 600V 8A 60W TO220 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.258 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGP5N60RUFDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGP5N60RUFDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGP5N60RUFDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 15A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 60W |
| Schaltenergie | 88µJ (on), 107µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 16nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/34ns |
| Testbedingung | 300V, 5A, 40Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 535W Schaltenergie 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 313nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 116ns/286ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 47A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 18A Leistung - max 206W Schaltenergie 95µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/105ns Testbedingung 400V, 18A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 12A Leistung - max 104W Schaltenergie 380µJ (on), 900µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 6A Leistung - max 100W Schaltenergie 90µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 8ns/105ns Testbedingung 400V, 6A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-313 |
