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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BSM35GD120DN2 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 280W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager524
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 280W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager6.750
BSM35GP120BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE 1200V 35A Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Leistung - max: 230W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.5nF @ 25V Eingabe: - NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager5.598
BSM35GP120GBOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Leistung - max: 230W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.5nF @ 25V Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.748
BSM400GA120DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 62MM-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 625A Leistung - max: 2500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager7.056
BSM400GA120DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 62MM-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Switch Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 550A Leistung - max: 2700W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 8mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.136
BSM400GA170DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 62MM-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800A Leistung - max: 3120W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager5.382
BSM50GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 34MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Switch Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A Leistung - max: 400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.574
BSM50GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 34MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 115A Leistung - max: 460W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager7.272
BSM50GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 34MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A Leistung - max: 400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager7.812
BSM50GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 72A 500W MODULE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 72A Leistung - max: 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager7.542
BSM50GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE 600V 75A Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 280W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.232
BSM50GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 85A Leistung - max: 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 84µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager5.526
BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 72A Leistung - max: 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager3.816
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.376
BSM50GD120DN2G Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 78A Leistung - max: 400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 33nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.121
BSM50GD170DLBOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.016
BSM50GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager6.228
BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE 1200V 50A Hersteller: Infineon Technologies Serie: * IGBT-Typ: - Konfiguration: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: - NTC-Thermistor: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.262
BSM50GP60BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager7.542
BSM50GP60GBOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager3.400
BSM50GX120DN2BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: * IGBT-Typ: - Konfiguration: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: - NTC-Thermistor: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.248
BSM75GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 34MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Switch Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 105A Leistung - max: 625W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1.4mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager3.852
BSM75GAR120DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 34MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Leistung - max: 235W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.628
BSM75GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 34MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 170A Leistung - max: 690W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager4.410
BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 34MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 105A Leistung - max: 625W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1.5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.064
BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 110A 625W MODULE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A Leistung - max: 625W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager4.824
BSM75GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE 600V 100A Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 355W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.622
BSM75GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 125A Leistung - max: 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 92µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager6.746
BSM75GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 103A Leistung - max: 520W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1.5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager7.344

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