BSM400GA120DN2HOSA1
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| Teilenummer | BSM400GA120DN2HOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSM400GA120DN2HOSA1 |
| Beschreibung | IGBT 2 MED POWER 62MM-2 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.136 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSM400GA120DN2HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM400GA120DN2HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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BSM400GA120DN2HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Single Switch |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 550A |
| Leistung - max | 2700W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 400A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 8mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 105A Leistung - max 355W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 675A Leistung - max 2250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 450A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 28nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ PT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Leistung - max 780W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.28V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 16.25nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-Pak Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Dual Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Leistung - max 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Leistung - max 520W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |
