BSM75GD120DLCBOSA1
Nur als Referenz
Teilenummer | BSM75GD120DLCBOSA1 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | BSM75GD120DLCBOSA1 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 | ||||||||||||||||||
Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 6.746 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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BSM75GD120DLCBOSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSM75GD120DLCBOSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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BSM75GD120DLCBOSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Konfiguration | Full Bridge |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 125A |
Leistung - max | 500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 75A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 92µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 5.1nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 625A Leistung - max 2500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 26nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 460A Leistung - max 1400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 440A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 8mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 20nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 135A Leistung - max 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP3F |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 520W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |