BSM75GB170DN2HOSA1
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| Teilenummer | BSM75GB170DN2HOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSM75GB170DN2HOSA1 |
| Beschreibung | IGBT 1700V 110A 625W MODULE |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.824 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSM75GB170DN2HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM75GB170DN2HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
BSM75GB170DN2HOSA1, BSM75GB170DN2HOSA1 Datenblatt
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BSM75GB170DN2HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 110A |
| Leistung - max | 625W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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