BSM75GB170DN2HOSA1 Datenblatt
BSM75GB170DN2HOSA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BSM75GB170DN2HOSA1
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 625W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce 11nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
