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BSM50GD170DLBOSA1

BSM50GD170DLBOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSM50GD170DLBOSA1
PNEDA Teilenummer BSM50GD170DLBOSA1
Beschreibung IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.016
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BSM50GD170DLBOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSM50GD170DLBOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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BSM50GD170DLBOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationFull Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Leistung - max480W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Leistung - max

230W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.5nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IFF450B12ME4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

450A

Leistung - max

40W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT200DA170D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

1700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3.3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y3-Li

Lieferantengerätepaket

Y3-Li

2LS20017E42W34854NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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