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BSM50GD120DN2E3226BOSA1

BSM50GD120DN2E3226BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSM50GD120DN2E3226BOSA1
PNEDA Teilenummer BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Beschreibung IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.376
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSM50GD120DN2E3226BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Leistung - max350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.3nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual Brake Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1000A

Leistung - max

11500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 1000A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

190nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

BSM150GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP15R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Leistung - max

81W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

830pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

183A

Leistung - max

630W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E3

Lieferantengerätepaket

E3

VDI50-12P1

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

49A

Leistung - max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ECO-PAC2

Lieferantengerätepaket

ECO-PAC2

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