Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BSM50GD120DN2G

BSM50GD120DN2G

Nur als Referenz

Teilenummer BSM50GD120DN2G
PNEDA Teilenummer BSM50GD120DN2G
Beschreibung IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $130,2820
50 ---------- $124,1750
100 ---------- $118,0680
200 ---------- $111,9611
400 ---------- $106,8719
500 ---------- $101,7828
Auf Lager 2.121
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSM50GD120DN2G Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSM50GD120DN2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
BSM50GD120DN2G, BSM50GD120DN2G Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 245,7 KB)
PDFBSM50GD120DN2G Datenblatt Cover
BSM50GD120DN2G Datenblatt Seite 2 BSM50GD120DN2G Datenblatt Seite 3 BSM50GD120DN2G Datenblatt Seite 4 BSM50GD120DN2G Datenblatt Seite 5 BSM50GD120DN2G Datenblatt Seite 6 BSM50GD120DN2G Datenblatt Seite 7 BSM50GD120DN2G Datenblatt Seite 8 BSM50GD120DN2G Datenblatt Seite 9 BSM50GD120DN2G Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BSM50GD120DN2G Datasheet
  • where to find BSM50GD120DN2G
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies BSM50GD120DN2G
  • BSM50GD120DN2G PDF Datasheet
  • BSM50GD120DN2G Stock

  • BSM50GD120DN2G Pinout
  • Datasheet BSM50GD120DN2G
  • BSM50GD120DN2G Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • BSM50GD120DN2G Price
  • BSM50GD120DN2G Distributor

BSM50GD120DN2G Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationFull Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)78A
Leistung - max400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce33nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

VS-CPV364M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

27A

Leistung - max

63W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.2nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Lieferantengerätepaket

IMS-2

FS50R07N2E4B11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™ 2

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

190W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP75R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Leistung - max

355W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT50GF60JCU2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

277W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

VS-GT400TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

2119W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

28.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 8)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

Kürzlich verkauft

VS-72CPQ030PBF

VS-72CPQ030PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO247AC

ADR291GRZ

ADR291GRZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

T495X107K025ATE150

T495X107K025ATE150

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 25V 2917

BCP53-16T1G

BCP53-16T1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223

VC060318A400RP

VC060318A400RP

VARISTOR 25.5V 30A 0603

M48T59Y-70PC1

M48T59Y-70PC1

STMicroelectronics

IC RTC CLK/CALENDAR PAR 28DIP

IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

MC14040BDR2G

MC14040BDR2G

ON Semiconductor

IC COUNTER 12BIT CMOS 16SOIC

IHLP2020BZER1R0M01

IHLP2020BZER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 7A 20 MOHM SMD

XC3S500E-4VQG100I

XC3S500E-4VQG100I

Xilinx

IC FPGA 66 I/O 100VQFP

MAX1953EUB+

MAX1953EUB+

Maxim Integrated

IC REG CTRLR BUCK 10UMAX

MOCD207R2M

MOCD207R2M

ON Semiconductor

OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC