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Seite 1966/2164

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APTGT75H60T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager3.186
APTGT75H60T2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP2 Lieferantengerätepaket: SP2	Auf Lager2.628
APTGT75H60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager5.004
APTGT75SK120D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 110A 357W D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A Leistung - max: 357W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5345nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager7.992
APTGT75SK120T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 110A 357W SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A Leistung - max: 357W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager7.254
APTGT75SK120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 110A 357W SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A Leistung - max: 357W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager5.046
APTGT75SK170D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 120A 520W D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Leistung - max: 520W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager7.398
APTGT75SK60T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 100A 250W SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager2.484
APTGT75TA120PG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Three Phase Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager4.284
APTGT75TA60PG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Three Phase Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager4.860
APTGT75TDU120PG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Triple, Dual - Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager2.610
APTGT75TDU60PG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Triple, Dual - Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager5.022
APTGT75TL60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE IGBT 600V 75A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Three Level Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager8.208
APTGT75X60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager7.650
APTGTQ100A65T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE - IGBT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager6.840
APTGTQ100DA65T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE - IGBT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager6.786
APTGTQ100DDA65T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE - IGBT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Dual Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP3F	Auf Lager4.122
APTGTQ100H65T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE - IGBT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP3F	Auf Lager2.466
APTGTQ100SK65T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE - IGBT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Buck Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager8.010
APTGTQ150TA65TPG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE - IGBT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A Leistung - max: 365W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 150µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager7.650
APTGTQ200A65T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE - IGBT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 483W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP3F	Auf Lager4.950
APTGTQ200DA65T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE - IGBT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 483W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP3F	Auf Lager8.100
APTGTQ200SK65T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE - IGBT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Buck Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 483W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP3F	Auf Lager6.858
APTGTQ50TA65T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE - IGBT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 125W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: SP3F	Auf Lager4.770
APTGV100H60BTPG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Boost Chopper, Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A Leistung - max: 340W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager2.250
APTGV100H60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A Leistung - max: 340W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager6.786
APTGV15H120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Leistung - max: 115W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager3.816
APTGV25H120BG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Boost Chopper, Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Leistung - max: 156W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager7.614
APTGV25H120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Leistung - max: 156W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager7.704
APTGV30H60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Leistung - max: 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager8.946

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