APTGTQ100DA65T1G
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| Teilenummer | APTGTQ100DA65T1G |
| PNEDA Teilenummer | APTGTQ100DA65T1G |
| Beschreibung | POWER MODULE - IGBT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.786 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGTQ100DA65T1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGTQ100DA65T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGTQ100DA65T1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Boost Chopper |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Leistung - max | 250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 6nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 185A Leistung - max 650W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400A Leistung - max 940W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 450A Leistung - max 1600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 560W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 10.84nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 7PM-GA Lieferantengerätepaket 7PM-GA |
